碳化硅設(shè)備工藝
碳化硅及碳化硅制品生產(chǎn)新工藝新技術(shù)與新設(shè)備選用質(zhì)量驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)全書詳細(xì)介紹及目錄:內(nèi)容簡(jiǎn)介 篇碳化硅原料 章脈石英 章石英砂 第三章焦 第四章其他 篇碳化硅結(jié)構(gòu)及性能 章碳化硅晶體結(jié)構(gòu) 章化學(xué)成分 第三章碳化硅的色澤 第四章碳化硅的和電化學(xué)性能 第五章碳化硅穩(wěn)定性與氧化 第三篇碳化硅合成工藝 章碳化硅冶煉工藝 章碳化硅砂的整形處理 第四篇碳化硅技術(shù)條件 章碳化硅理化性能條件 章碳化硅粒度條件 第五篇碳化硅燒結(jié)的基本 章燒結(jié)的擴(kuò)散理論 章燒結(jié)的流動(dòng)理論 第三章燒結(jié)的幾何理論 第四章強(qiáng)化燒結(jié)理論 第五章燒結(jié)過(guò)程機(jī)模擬 第六篇碳化硅液相燒結(jié)技術(shù) 章液相燒結(jié)的條件與過(guò)程 章影響液相燒的因素 第三章液相燒結(jié)的優(yōu)點(diǎn)與局限 第四章液相燒結(jié)的發(fā)展與應(yīng)用 第七篇碳化硅粉末制備工藝 章碳化硅粉末制備方法 章碳化硅粉末制備工藝 目。
供應(yīng)《碳化硅及碳化硅制品生產(chǎn)新工藝新技術(shù)與新設(shè)備選用質(zhì)量驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn) :供應(yīng)《碳化硅及碳化硅制品生產(chǎn)新工藝新技術(shù)與新設(shè)備選用質(zhì)量驗(yàn)收 建議您選購(gòu)已通過(guò)真實(shí)性認(rèn)證的商品產(chǎn)品編號(hào):35085148放大圖片 如需交易,中交網(wǎng)建議您使用具有擔(dān)保交易的支付方式! 商品單價(jià)：399.0元發(fā) 貨 期：1小起訂：1套所 在 地：北京起點(diǎn)城市：到達(dá)城市：所屬類型：專線運(yùn)輸：物流專線供貨總量：20有效期：2012/3/24 "
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書名:《碳化硅及碳化硅制品生產(chǎn)新工藝新技術(shù)與新設(shè)備選用質(zhì)量驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)
市場(chǎng)價(jià):798元
作 者:編委會(huì)
冊(cè)數(shù)規(guī)格：:全三卷 1CD 大16開(kāi)精裝
出版社:中國(guó)科技文化出版社2005年出版
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碳化硅微粉生產(chǎn)工藝流程,碳化硅微粉設(shè)備生產(chǎn)廠家價(jià)格_廠家_碳化硅微粉生產(chǎn)工藝流程,碳化硅微粉設(shè)備生產(chǎn)廠家供應(yīng)商：鄭州市鑫源機(jī)械制造有限公司:碳化硅微粉生產(chǎn)工藝，碳化硅微粉磨的應(yīng)用，鄭州市鑫源機(jī)械制造有限公司專業(yè)提供整套碳化硅微粉生產(chǎn)工藝技術(shù)，綠碳化硅和黑碳化硅的原塊生產(chǎn)地主要集?詼?焙臀鞅保?鄹?500元不等，原塊經(jīng)過(guò)顎式破碎機(jī)和錘式破碎機(jī)破碎之后，顆粒呈0-5毫米，此間破碎所產(chǎn)生的粉塵是生產(chǎn)廠家很頭疼的事情，鑫源公司提供全套除塵方案，優(yōu)化工作環(huán)境，破碎之后的顆粒進(jìn)入我司生產(chǎn)的碳化硅專用微粉磨，集機(jī)械研磨和機(jī)械分級(jí)于一體，高效脈沖除塵，生產(chǎn)52-152微米的物料，產(chǎn)量85-90公斤小時(shí)，出品率65-70％， 能穩(wěn)定，一次調(diào)試，整天都可以固定模式生產(chǎn)，粒度均勻，粉塵無(wú)污染。一致得到廣大客戶的好評(píng)。鑫源公司憑借高質(zhì)量產(chǎn)品，貼心售后服務(wù)，在碳化硅微粉行業(yè)立于位置。鄭州市鑫源機(jī)械制造有限公司。
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大直徑碳化硅晶體生長(zhǎng)工藝及設(shè)備-工藝、、技術(shù)轉(zhuǎn)讓: 碳化硅(SiC)具有禁帶寬、臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子飽和漂移速度高、熱導(dǎo)率高、以及耐高溫、抗輻照和耐腐蝕等特點(diǎn)，是制造高性能電力電子器件、大功率固體微波器件和固體等新型器件和耐高溫集成電路的優(yōu)選材料，也是氮化鎵白光LED和氮化鎵微波功率器件理想的襯底材料。 本項(xiàng)目研究人工生長(zhǎng)大直徑碳化硅單晶體的基本問(wèn)題，開(kāi)發(fā)適合于器件制造的優(yōu)質(zhì)碳化硅單晶的生長(zhǎng)工藝與設(shè)備，形成一定的設(shè)備及晶體生產(chǎn)能力。目前，該項(xiàng)目組使用自行研制、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的TDL16型生長(zhǎng)設(shè)備和晶體生長(zhǎng)工藝，已能制備直徑58mm以內(nèi)、長(zhǎng)度15mm以內(nèi)的6H-SiC體單晶；可以制備更大尺寸的4英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備已進(jìn)入安裝、調(diào)試階段。
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